一種制備碳化硅顆粒增強二硅化鉬基
復合材料 的原位復合方法, 主要通過控制原位復合工藝參數(shù), 消除Mo、Si 和C三元素粉末之間的低溫固一固反應(yīng), 而利用它們之間的固-液反應(yīng)原位合成MoSi2-SiC復合粉末, 并用二次熱壓致密該MoSi2-SiC復合粉末, 來制備界面潔凈、無SiO2玻璃相和Mo5Si3, Mo≤5Si3C≤1等其他過渡相、細小彌散SiC顆粒增強MoSi2兩相復合材料。使該復合材料在不降低MoSi2抗高溫氧化性的前提下, 最大限度地改善MoSi2-SiC復合材料的低溫和高溫力學性能, 并且工藝易于控制、設(shè)備簡單。
聲明:
“制備碳化硅顆粒增強二硅化鉬基復合材料的原位復合方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)