本發(fā)明提出了制備C/SiC
復合材料的方法,該方法包括多個重復周期,每個重復周期包括:(1)將C/C多孔復合材料浸漬在SiC陶瓷前驅體中;(2)對浸有C/C多孔復合材料的SiC陶瓷前驅體進行加壓浸漬;(3)對加壓浸漬后的C/C多孔復合材料進行交聯(lián)裂解。本發(fā)明所提出的制備方法,通過多次反復的先驅體浸漬裂解法制備出高致密化且材料機械性能更好的C/SiC復合材料,相比于現(xiàn)有的反應熔融滲透法,不僅不會對C/C多孔復合材料表面造成損傷,且能使復合材料的性能提高10~20%。并且,每個先驅體浸漬裂解周期中的加壓浸漬步驟,可使SiC陶瓷前驅體更容易進入樣品內(nèi)部細微的孔隙,從而可減少為了滿足致密化要求的重復周期數(shù),還可使該方法制備出的C/SiC復合材料致密度近似于反應熔融滲透法。
聲明:
“制備C/SiC復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)