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聚吡咯包覆Ni-Co-S納米針陣列復合材料及其制備方法和應用

664 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:21:02

本發(fā)明公開了聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復合材料，以乙酸鎳、乙酸鈷、尿素、硫脲為原料，制備NF/NiCo₂S₄納米針陣列材料，再以聚吡咯為導電聚合物，通過黏結劑和固化劑，制得聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復合材料，其中，納米針狀結構具有殼?核結構，核結構為NiCo₂S₄，殼結構為聚吡咯。其制備方法包括以下步驟：1）NF/NiCo₂O₄納米針陣列材料的制備；2）NF/NiCo₂S₄納米針陣列材料的制備；3）聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復合材料的制備。作為超級電容器電極材料的應用，窗口電壓為0?0.5V，在放電電流密度為1A/g時，比電容為1800?1900F/g。泡沫鎳載體表面生長的納米針陣列結構規(guī)整有序，比表面積大，利于電子的傳輸；采用直接滴覆的方法實現(xiàn)導電聚合物的包覆，有效提高電化學性能。

聲明：

“聚吡咯包覆Ni-Co-S納米針陣列復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)