本發(fā)明公開(kāi)了一種多功能中子流屏蔽復(fù)合材料的制備方法，中子流在這種氮化硼與硫酸鋇交替層狀分布的多功能中子流屏蔽復(fù)合材料中，經(jīng)聚合物基體的散射耗散一部分中子，氮化硼層層界面間多次散射、吸收，由此實(shí)現(xiàn)屏中子流蔽效率的大幅度提高；中子流引發(fā)的次級(jí)放射在硫酸鋇層層界面間多次散射、衰減，最終以熱量的形式耗散，基于此實(shí)現(xiàn)中子流屏蔽復(fù)合材料屏蔽中子流次級(jí)放射的功能。另外，硫酸鋇的加入對(duì)中子流有一定的慢化作用，即是增強(qiáng)了中子流的康普頓散射效應(yīng)，也就是增加了中子流能量的耗散途徑。因此，中子流的屏蔽效率也會(huì)得到提高。通過(guò)本發(fā)明方法制備的多功能中子流屏蔽復(fù)合材料層數(shù)、層厚可控，配方可調(diào)，防護(hù)效率高，力學(xué)性能優(yōu)良，生產(chǎn)方法簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定、易于大規(guī)模生產(chǎn)。