本發(fā)明屬于納米
復合材料領域,公開了一種g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料及其制備方法。主要是以片層結構的g?C3N4為基體,鉬酸銨或鉬酸鈉為鉬源,七水硫酸鋅為鋅源,鹽酸羥胺為還原劑,硫脲或硫代乙酰胺為硫源,通過水熱法制備g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料。本發(fā)明制備g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料的方法簡單易操作,成本低廉,反應條件溫和,重現(xiàn)性好,粒徑均勻,并在摩擦學、催化、鋰電等領域中具有重要的應用,有望用于大規(guī)模的工業(yè)生產。
聲明:
“g-C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)