一種基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料的制備方法，它涉及納米SiO2空心球復(fù)合材料的制備。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有技術(shù)存在制備的聚酰亞胺薄膜介電常數(shù)高，難以滿足微電子行業(yè)對于基材技術(shù)要求的問題。方法：一、制備納米SiO2空心球粉末；二、制備納米SiO2空心球/聚酰胺酸膠液；三、制備三層納米SiO2空心球/聚酰胺酸薄膜；四、熱亞胺化；五、脫膜，即得到基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料。本發(fā)明制備基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料的介電常數(shù)低至1.9，可廣泛適用于高速集成電路撓性覆銅箔板基材中。本發(fā)明用于一種基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料的制備。