本發(fā)明提供了一種介電性能優(yōu)異的碳/硅核殼結(jié)構(gòu)-聚合物
復(fù)合材料的制備方法。我們通過(guò)一定的方法將碳填入硅分子篩中,得到碳/硅核殼結(jié)構(gòu)材料,再將其分散在聚合物中制備了介電性能優(yōu)異的復(fù)合材料。該復(fù)合材料的介電常數(shù)可達(dá)到2030,此時(shí)介電損耗為2.02。該方法工藝簡(jiǎn)單,成本低廉,無(wú)污染,是一種有前景的制作聚合物基介電復(fù)合材料的方法。
聲明:
“碳/硅核殼結(jié)構(gòu)-聚合物高介電復(fù)合材料” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)