本發(fā)明涉及
半導體材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種肖特基結(jié)
復合材料及其制備方法和應用。本發(fā)明提供了一種肖特基結(jié)復合材料,由Ti3C2Tx片層及負載在所述Ti3C2Tx片層上的AgI微球組成,其中,一個Ti3C2Tx片層上負載有多個AgI微球。該肖特基結(jié)復合材料可用于光
電化學傳感器的肖特基結(jié)復合材料,能夠大幅提升光電化學傳感器的性能。
聲明:
“肖特基結(jié)復合材料及其制備方法和應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)