本發(fā)明提供一種Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4
復(fù)合材料的制備方法,包括如下步驟:制備Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料;將Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料與Al3+按摩爾比1:0.5?1.5混合,并分散到去離子水中,超聲攪拌0.5?1h;緩慢加熱混合液至30?90℃,并進(jìn)磁力攪拌2?10h,Al3+與Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料表面的Zn、Cu等元素發(fā)生微量離子交換,使Al3+負(fù)載于Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4表面;對磁力攪拌液進(jìn)行固液分離,并將分離得到的粉末置于60?80℃恒溫電熱干燥箱干燥3?36h,即可得到Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復(fù)合材料,其中負(fù)載的Al3+含量為Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4含量的0.3?0.8wt%。本發(fā)明提供的Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復(fù)合材料的制備方法,采用Al離子對Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4
半導(dǎo)體材料表面進(jìn)行修飾,能改善Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料的活性位點,提升材料的光催化活性。本發(fā)明還提供一種Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復(fù)合材料及其應(yīng)用。
聲明:
“Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)