本發(fā)明公開(kāi)了一種單顆粒獨(dú)居石的雙測(cè)年方法,首先可以得到獨(dú)居石所在的花崗巖地質(zhì)體的結(jié)晶年齡,即巖漿侵入事件發(fā)生的時(shí)間;其次又可以獲得這顆獨(dú)居石的(U-Th)/He年齡,它代表該花崗巖地質(zhì)體抬升冷卻的年齡,即該地質(zhì)體發(fā)生快速構(gòu)造抬升的時(shí)間。該方法通過(guò)單顆粒獨(dú)居石U-Pb和(U-Th)/He雙測(cè)年可以同時(shí)獲得獨(dú)居石所在地質(zhì)體的侵入歷史和構(gòu)造抬升歷史,具有重要的地質(zhì)意義。
聲明:
“單顆粒獨(dú)居石的雙測(cè)年方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)