本發(fā)明提供了一種低介電損耗碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)的制備、表面沉積氧化鑭薄膜的SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)的制備、低介電損耗碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)合材料的制備。本發(fā)明還提供了上述方法制得的低介電損耗碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)合材料。本發(fā)明提供的低介電損耗碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)合材料，通過在碳化硅陶瓷中分散碳化硅纖維大大提高了材料的韌性，利用碳化硅纖維制得SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)，降低了碳化硅纖維的介電參數(shù)，同時(shí)在碳化硅陶瓷中分散氧化硅等材料，進(jìn)一步降低了碳化硅陶瓷的介電參數(shù)，提高了絕緣性；同時(shí)SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)表面沉積氧化鑭薄膜，氧化鑭薄膜能有效提升纖維的抗氧化性能，減少由纖維氧化帶來的強(qiáng)度損傷化鑭，還可以降低配合料熔制過程中氧化硼化合物的揮發(fā)量。