本公開提供了一種基于對(duì)抗生成網(wǎng)絡(luò)和偽標(biāo)注的半監(jiān)督電阻率深度學(xué)習(xí)反演方法及系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)部分視電阻率數(shù)據(jù)缺少對(duì)應(yīng)地質(zhì)模型情況下的深度學(xué)習(xí)反演網(wǎng)絡(luò),首先針對(duì)視電阻率數(shù)據(jù)深度變化特征采用自適應(yīng)卷積網(wǎng)絡(luò),對(duì)電法數(shù)據(jù)垂直特征進(jìn)行提取,并通過(guò)提取特征圖并最終得到電阻率模型,完成視電阻率數(shù)據(jù)與地下電阻率地質(zhì)模型的映射關(guān)系;同時(shí)在網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中加入了判別器,為無(wú)對(duì)應(yīng)地質(zhì)模型的視電阻率數(shù)據(jù)引入偽標(biāo)注,擴(kuò)充有標(biāo)簽數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量,實(shí)現(xiàn)了半監(jiān)督學(xué)習(xí)策略。通過(guò)半監(jiān)督深度學(xué)習(xí)電法數(shù)據(jù)反演網(wǎng)絡(luò),提高了在有標(biāo)簽數(shù)據(jù)較少時(shí)深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)反演效果。
聲明:
“基于對(duì)抗生成網(wǎng)絡(luò)和偽標(biāo)注的半監(jiān)督電阻率反演方法及系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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