本發(fā)明公開一種
復(fù)合材料、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。復(fù)合材料包括金屬氧化物納米顆粒和MN4型半金屬,金屬氧化物納米顆粒和MN4型半金屬結(jié)合,其中MN4型半金屬中M為最外層為3d電子軌道的金屬原子。本發(fā)明將MN4型半金屬與金屬氧化物納米顆粒復(fù)合后,利用半金屬中表面金屬原子容易與金屬氧化物納米顆粒表面的羥基配體進(jìn)行配位的特性,使得金屬氧化物納米顆粒能夠均勻分散。MN4型半金屬擁有較高的電導(dǎo)率,通過與金屬氧化物納米顆粒復(fù)合,可以提高其導(dǎo)電性能。MN4型半金屬的帶隙較小,使得其與金屬氧化物納米顆粒結(jié)合的復(fù)合材料的電子由價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶更加容易,載流子濃度增高,有利于載流子傳輸,提高器件發(fā)光效率。
聲明:
“復(fù)合材料、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)