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磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法及其在鈉離子電池上的應用

961 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 16:14:01

本發(fā)明涉及一種磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法，該復合材料為GaN，具體制備方法為：將純度我99.99％GaN靶材和金屬襯底分別安置于濺射腔中，靶材與襯底距離D＝7cm；對腔體進行抽真空，V≥1×10?7Torr；對襯底進行加熱，并將其溫度保持在25～700℃；利用磁控濺射對靶材進行轟擊，在金屬襯底上沉積生長GaN。所制備GaN直接生長在導電基體上，與基體結合緊密；GaN材料的生長厚度可通過調(diào)整時間進行控制；所制備樣品中GaN為均勻的納米顆粒，平均尺寸在40nm；所制備GaN可作為鈉離子電池負極材料，具有較高充、放電容量和較低的充、放電平臺。

聲明：

“磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法及其在鈉離子電池上的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)