本實(shí)用新型公開了一種氮化硅基
復(fù)合材料,包括氮化硅基陶瓷介質(zhì)板和銅箔,所述銅箔位于氮化硅基陶瓷介質(zhì)板外表面上,本實(shí)用新型通過Si3N4陶瓷片的表面預(yù)處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)Si3N4陶瓷介質(zhì)板與銅箔界面特性的優(yōu)化,獲得具有優(yōu)良力/熱/電綜合性能的Si3N4陶瓷DBC基板,其兼具有高強(qiáng)度與高熱導(dǎo)率的特性,具有良好的介電性能,能夠有效減少信號(hào)傳輸?shù)墓β蕮p耗,線性膨脹系數(shù)與硅接近,作為電子封裝材料能夠有效保證封裝的可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“氮化硅基復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)