本發(fā)明涉及一種基于化學(xué)氣相沉積的半導(dǎo)體
復(fù)合材料的制備方法,在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室內(nèi),采用半導(dǎo)體合成原料以化學(xué)氣相沉積法在基底上沉積
半導(dǎo)體材料,得到半導(dǎo)體材料與基底之間具有耦合界面的目的產(chǎn)物。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積制備出具有特定耦合界面的金屬半導(dǎo)體復(fù)合物,該材料既具備了基底金屬材料的優(yōu)異電導(dǎo)性能和表面結(jié)構(gòu)性質(zhì),同時(shí)又因其特殊的耦合界面,使得材料的電催化性能進(jìn)一步提高。
聲明:
“基于化學(xué)氣相沉積的半導(dǎo)體復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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