在實際的電子部件(包括半導(dǎo)體器件)等中獲得尋求熱膨脹率與熱傳導(dǎo)率平衡的適當特性。其方法為:使高壓容器處于初始狀態(tài)(S1),在第一室處于下方位置后,把銅或銅合金放入第一室,把SiC設(shè)置在第二室(S2)。隨后,在密封高壓容器后,通過排氣管進行高壓容器內(nèi)的抽真空(S3)。接著,使熱絲通電,加熱熔解第一室的銅或銅合金(S4)。在第一室內(nèi)的熔融銅達到預(yù)定溫度階段,180度地旋轉(zhuǎn)高壓容器(S5),SiC處于在熔融銅中的被浸漬狀態(tài)(S6)。然后,通過氣體導(dǎo)入管向高壓容器內(nèi)導(dǎo)入浸漬氣體,通過使該高壓容器加壓,把熔融銅浸漬在SiC中。隨后,在使高壓容器旋轉(zhuǎn)180度后(S7),在通過氣體導(dǎo)出管對高壓容器內(nèi)的浸漬氣體排氣的同時,通過氣體導(dǎo)入管把冷卻氣體向高壓容器內(nèi)導(dǎo)入(S8)。
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“用于半導(dǎo)體散熱器的復(fù)合材料及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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