本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述方法包括：提供具有NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在其上形成有柵極結(jié)構(gòu)，且在柵極結(jié)構(gòu)的頂部和側(cè)壁形成有柵極硬掩蔽層；在半導(dǎo)體襯底上形成完全覆蓋柵極結(jié)構(gòu)的硬掩膜層；在PMOS區(qū)形成嵌入式鍺硅層，在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和/或頂部形成由柵極硬掩蔽層、硬掩膜層和新生材料層構(gòu)成的復(fù)合材料層疊結(jié)構(gòu)；去除位于NMOS區(qū)的部分復(fù)合材料層疊結(jié)構(gòu)，直至露出半導(dǎo)體襯底；去除所述復(fù)合材料層疊結(jié)構(gòu)的剩余部分，僅在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)留有部分柵極硬掩蔽層。根據(jù)本發(fā)明，在PMOS區(qū)形成嵌入式鍺硅層后，可以有效去除NMOS區(qū)的復(fù)合材料層疊結(jié)構(gòu)，擴(kuò)大了后續(xù)硅化工藝和接觸孔工藝窗口，提高了產(chǎn)品良率。