本發(fā)明涉及制備放射性標(biāo)記合成聚合物的方法,所述方法包括在包含所選擇的電解質(zhì)濃度或pH值的水性介質(zhì)中,將合成聚合物與具有放射性粒子芯的碳封裝納米粒子
復(fù)合材料接觸以通過長程靜電斥力衰減來促進(jìn)納米粒子和合成聚合物之間的短程引力。
聲明:
“用于放射性標(biāo)記合成聚合物的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)