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1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法

667   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-04 00:40:11
一種1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法,步驟為:第一步,將含有m個采樣點,點距為△x的一維位場異常數(shù)據(jù)讀取到一維數(shù)組f中;第二步,對f進行一維離散小波多尺度分解;第三步,分別提取每一尺度小波細(xì)節(jié)的高頻分量,并進行一維離散小波反變換;第四步,將尺度維等效為擬深度維,并按由小尺度到大尺度的順序組建多尺度高頻分量的位場異常數(shù)據(jù),形成二維數(shù)據(jù)F;第五步,對二維數(shù)據(jù)F進行網(wǎng)格化及插值處理,然后將其繪制成二維位場異常剖面圖,便實現(xiàn)了一維位場異常曲線構(gòu)建二維位場異常剖面,獲得的二維剖面具有異常信息展示直觀、易于地質(zhì)解釋的優(yōu)點。
聲明:
“1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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