本發(fā)明涉及一種方法和設(shè)備,用于探究圍繞一配裝金屬套管的井眼的、一地質(zhì)巖層的電阻率,一電流施加于套管,以便造成電流在一給定層位處漏入所述地層,而所述電流由一在測(cè)定層位每一側(cè)上接觸于套管的反饋電路予以分路,所述電路組配得確保在所述層位處沿著套管流動(dòng)的電流與分路電流相比是很小的,確定位于測(cè)定層位每一側(cè)上相鄰各段套管上的各電壓降之間的差值,并從中推演出來泄漏電流(Ifor)。
聲明:
“套管井周圍地層電阻率的測(cè)定方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)