本發(fā)明提供了一種雙
鈣鈦礦單晶及其制備方法和應(yīng)用、雙鈣鈦礦單晶光電探測(cè)器,涉及單晶材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的Cs2AgErxBi1?xCl6(x為0~0.9)雙鈣鈦礦單晶的粒度≥1mm。與納米級(jí)單晶相比,本發(fā)明提供的雙鈣鈦礦單晶具有更低的缺陷,更高的載流子壽命和遷移率,光致發(fā)光性能和環(huán)境穩(wěn)定性優(yōu)異,應(yīng)用于光電器件中能夠提高光電器件的整體性能;還有利于探究材料的光電特性。進(jìn)一步的,摻鉺雙鈣鈦礦單晶顯著提高光電探測(cè)的光響應(yīng)率和探測(cè)率。而且,傳統(tǒng)的雙鈣鈦礦納米單晶需制成薄膜再應(yīng)用于光電器件中,而本發(fā)明提供的雙鈣鈦礦單晶可直接應(yīng)用于光電器件中,無需先制備成膜,應(yīng)用簡(jiǎn)單,成本低。
聲明:
“雙鈣鈦礦單晶及其制備方法和應(yīng)用、雙鈣鈦礦單晶光電探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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