一種二維鈦酸鋇填料摻雜的聚偏氟乙烯基復合介質(zhì)薄膜及其制備方法,它屬于復合介質(zhì)與能量儲存領域。本發(fā)明利用熔鹽法制備具有高介電常數(shù)的二維片狀鈦酸鋇,以此作為填料,將聚偏氟乙烯加入N,N?二甲基甲酰胺溶液中,超聲分散30min,得到聚偏氟乙烯溶液,按照一定料液比將處理后的二維片狀鈦酸鋇晶體加入聚偏氟乙烯溶液,然后在高剪切攪拌機中攪拌10~15min,再在超聲分散30min,冷卻到室溫,得到懸濁液,懸涂后,真空干燥,制得二維鈦酸鋇填料摻雜的聚偏氟乙烯基復合介質(zhì)薄膜。本發(fā)明
復合材料兼具鈦酸鋇介電常數(shù)高和PVDF擊穿場強高、機械性能優(yōu)異等優(yōu)點,可用于制作高性能電容器、傳感器、航天器以及電應力控制器件等。
聲明:
“二維鈦酸鋇填料摻雜的聚偏氟乙烯基復合介質(zhì)薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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