本發(fā)明公開了一種氧化
石墨烯表面原位生長二氧化硅的納米雜化填料及其制備方法。該方法首先將氧化石墨烯超聲分散到水和乙醇中,然后加入氨水和催化劑,并緩慢滴加硅源單體,在30?80℃下攪拌反應2?8小時,經洗滌、干燥,得到二氧化硅粒子均勻生長在氧化石墨烯表面的納米雜化填料。該納米雜化填料表面是由二氧化硅粒子形成的納米突起,既能阻止氧化石墨烯片層間的堆疊,又能提高雜化填料的比表面積,有望顯著改善雜化填料在聚合物基體中的分散狀態(tài)和聚合物?雜化填料之間的界面作用。因此,本發(fā)明在功能化填料和高性能
復合材料的制備領域均具有潛在的應用價值。
聲明:
“氧化石墨烯表面原位生長二氧化硅的納米雜化填料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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