本發(fā)明涉及一種通過晶格對稱性匹配二維材料模板實現(xiàn)金屬有機框架表面外延生長的制備方法。采用化學氣相沉積法,在銅箔上生長出
石墨烯,或采用液相剝離法制備石墨烯;以所得的石墨烯為模板,采用溶劑熱法,在石墨烯表面外延生長出金屬有機框架材料;所述模板基底還可以是其它二維材料(如硫化鉬)。要求二維模板材料和二維金屬有機框架具有匹配的晶格對稱性,符合外延生長的重合位置點陣匹配理論。通過本方法得到的金屬有機框架薄膜具有高度的晶面選擇性,以及與模板耦合作用強的綜合性能。本方法分步控制,操作簡單,可根據(jù)性能要求更改外延生長模板材料,并可以在不同種類金屬有機框架上拓展,可以精確構(gòu)造符合需求的金屬有機框架
復合材料。
聲明:
“通過晶格對稱性匹配二維材料模板實現(xiàn)金屬有機框架表面外延生長的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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