本發(fā)明公開(kāi)了一種基于活性層優(yōu)化的
鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法,該光電探測(cè)器采用正型結(jié)構(gòu),由襯底,透明導(dǎo)電ITO陽(yáng)極,空穴傳輸層,鈣鈦礦光活性層,電子傳輸層,陰極緩沖層,金屬陰極從下到上依次組成,所述鈣鈦礦光活性層由鈣鈦礦前驅(qū)體溶液經(jīng)旋涂制備而成,該鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中聚合物PFN?Br的含量為0.5mg/ml或1mg/ml或2mg/ml或5mg/ml。本發(fā)明通過(guò)聚合物PFN?Br的親水性官能團(tuán)與鈣鈦礦晶粒緊密結(jié)合,形成聚合物晶界網(wǎng)絡(luò),鈍化晶粒之間的缺陷,提升載流子傳輸能力,進(jìn)而提升器件光探測(cè)性能;同時(shí)聚合物主鏈的疏水性能隔絕水氧對(duì)鈣鈦礦晶粒的侵蝕,提升器件的環(huán)境穩(wěn)定性。
聲明:
“基于活性層優(yōu)化的鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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