本發(fā)明提供一種
鈣鈦礦半導體型X射線探測器,其包括頂電極、鈣鈦礦吸光層及信號讀出薄膜晶體管陣列,還包括第一界面層和第二界面層,第一界面層位于頂電極與鈣鈦礦吸光層之間,第二界面層位于鈣鈦礦吸光層與信號讀出薄膜晶體管陣列之間。本發(fā)明還提供該鈣鈦礦半導體型X射線探測器的制備方法。本發(fā)明的鈣鈦礦半導體型X射線探測器通過設置第一界面層和第二界面層,有利于鈣鈦礦吸光層與頂電極以及與信號讀出薄膜晶體管陣列的有效接觸與附著力提升,有利于提升探測器的信噪比,有利于提高探測器的響應速度,有利于保證鈣鈦礦探測器性能長期穩(wěn)定。
聲明:
“新型的鈣鈦礦半導體型X射線探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)