本申請(qǐng)屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種
鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法。其中,鈣鈦礦基X光探測(cè)器的制備方法,包括步驟:獲取導(dǎo)電基底,對(duì)所述導(dǎo)電基底進(jìn)行活化處理,得到活化后的導(dǎo)電基底;制備鈣鈦礦前驅(qū)體的混合溶液,將所述混合溶液沉積在所述活化后的導(dǎo)電基底上,干燥退火處理,得到含有AnA’1?nPbZ3鈣鈦礦材料的鈣鈦礦活性層,其中,A選自CH3NH3+,A’選自CH2(NH3)2+,Z選自鹵素,n為0.1~0.95;在所述鈣鈦礦活性層背離所述導(dǎo)電基底的表面制備背電極,得到鈣鈦礦基X探測(cè)器。本申請(qǐng)制備方法簡(jiǎn)單高效,原材料利用率高,適用于制備大面積的鈣鈦礦基X光探測(cè)器,制備的探測(cè)器穩(wěn)定性好,靈敏度高。
聲明:
“鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)