本發(fā)明提供了一種用于核輻射探測成像的大面積金屬鹵化物
鈣鈦礦單晶陣列的外延生長方法,包括步驟如下:將帶有鏤空陣列的掩模版置于經(jīng)預處理的CsPbBr
3(CPB)襯底上;之后將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移至掩模板上,覆蓋整個掩模板表面,控制相對濕度為30%?50%,待溶劑揮發(fā)完后,將掩膜版與襯底分離,得到帶有掩膜版的單晶陣列,即為大面積金屬鹵化物鈣鈦礦單晶陣列。本發(fā)明的方法,可以生長得到大面積的、結(jié)晶取向一致的鈣鈦礦單晶陣列,并且通過控制掩模板鏤空陣列的大小,得到不同尺寸的鈣鈦礦單晶晶粒。
聲明:
“用于核輻射探測成像的大面積金屬鹵化物鈣鈦礦單晶陣列的外延生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)