本發(fā)明公開了一種基于ME?BT復(fù)合空穴傳輸層的
鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,涉及光電探測器件技術(shù)領(lǐng)域,所述光電探測器包括從下到上依次設(shè)置的襯底、導(dǎo)電陰極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層,復(fù)合空穴傳輸層和金屬陽極,所述復(fù)合空穴傳輸層包括上下兩層,所述復(fù)合空穴傳輸層的上層材料為ME?BT,下層材料為Spiro?OMeTAD,本發(fā)明通過引入ME?BT與Spiro?OMeTAD形成復(fù)合空穴傳輸層,在提升器件光電流的同時,大幅降低其暗電流,解決了傳統(tǒng)空穴傳輸層材料Spiro?OMeTAD遷移率低,器件穩(wěn)定性差,壽命較短的問題。
聲明:
“基于ME-BT復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)