本發(fā)明提供一種對溫度、時間等處理?xiàng)l件的管理容易,且體積電阻率的面內(nèi)分布極少的鈮酸鋰(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通過切克勞斯基法培育出的鈮酸鋰單晶來制造鈮酸鋰單晶基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度為大于1000質(zhì)量ppm且2000質(zhì)量ppm以下并被加工成基板狀態(tài)的鈮酸鋰單晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中,在550℃以上且600℃以下的溫度進(jìn)行熱處理,從而制造出體積電阻率被控制在1×108Ω·cm以上且1×1010Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
聲明:
“鈮酸鋰單晶基板及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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