本發(fā)明公開了一種熱調(diào)偏置硅鈮酸鋰混合集成調(diào)制器及制備方法,可以高效地利用硅材料固有的高熱光系數(shù),實(shí)現(xiàn)一個(gè)高集成度、高穩(wěn)定性的偏置點(diǎn)控制,在調(diào)制器方面保留了混合集成將硅高折射率、易于集成和鈮酸鋰高電光系數(shù)、線性高速遠(yuǎn)距離調(diào)制相結(jié)合的優(yōu)點(diǎn),相比較傳統(tǒng)的利用鈮酸鋰普克爾斯效應(yīng)的直流偏壓控制偏置點(diǎn)具有更好的穩(wěn)定性。
聲明:
“熱調(diào)偏置硅鈮酸鋰混合集成調(diào)制器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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