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在鋁酸鋰晶片表面低溫制備氮化鋁薄膜的方法

843   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 22:17:34
一種在鋁酸鋰晶片上低溫制備氮化鋁薄膜的方法,將拋光的(100)γ-LiAlO2晶片置于流動或密封氨氣氣氛環(huán)境中,在室溫至800℃的溫度范圍內(nèi),保溫0.1至120小時,對(100)γ-LiAlO2晶片表面進(jìn)行氮化處理,在(100)γ-LiAlO2晶片表面獲得一層高度c軸取向的(0001)氮化鋁薄膜。這種表面覆蓋有(0001)氮化鋁薄膜的(100)γ-LiAlO2晶片的表面粗糙度明顯降低,穩(wěn)定性得到明顯提高。用本發(fā)明方法制備的氮化(100)γ-LiAlO2晶片可作為襯底用于外延制備GaN、氮化鋁、InGaN、ZnO等寬禁帶半導(dǎo)體薄膜、厚膜以及功能器件。
聲明:
“在鋁酸鋰晶片表面低溫制備氮化鋁薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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