本發(fā)明涉及一種高鎳材料及其制備方法與應(yīng)用。所述高鎳材料的化學(xué)式為L(zhǎng)iMO
2,其中M是指Ni
xCo
yMn
z,x=0.6~0.7,y=0.07~0.09,z=0.2~0.3;所述
正極材料的結(jié)構(gòu)中包含C2/m晶體結(jié)構(gòu)。上述高鎳材料,通過合理控制材料中的鎳、鈷與錳的摩爾比,在結(jié)構(gòu)中引入C2/m晶體結(jié)構(gòu),使其在充電過程中,過渡金屬層中產(chǎn)生少許空位點(diǎn),該位點(diǎn)為混排到鋰層中的鎳遷移回過渡金屬層提供了空間,從而降低鋰鎳混排的程度。比起傳統(tǒng)抑制鋰鎳混排的方法,該高鎳材料能夠在充電過程中抑制并降低鋰鎳混排程度,同時(shí),該高鎳材料在合成時(shí)結(jié)晶性良好,
電化學(xué)性能(如循環(huán)保持率)有很大的提高。
聲明:
“高鎳材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)