大尺寸非極性面GAN自支撐襯底制備方法,在HVPE生長系統(tǒng)中將鋁酸鋰襯底放入反應(yīng)器中后,先生長緩沖層。溫度為500-800℃,然后升溫至生長溫度開始生長GAN,生長溫度1000-1100℃。生長至合適的厚度后,停止生長;冷卻后獲得完整的自支撐GAN襯底,鋁酸鋰襯底自動分離。本發(fā)明利用了鋁酸鋰襯底和GAN之間的小的晶格失配來獲得低位錯密度的非極性面GAN薄膜;本發(fā)明方案充分利用兩者之間大的熱失配來使得二者相分離,無需按照一定降溫速率降溫,并且晶體質(zhì)量明顯改善,而且成品率高,采用本發(fā)明方案利于規(guī)模生產(chǎn)。