一種中空二級(jí)核殼結(jié)構(gòu)硅碳
復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用,所述中空二級(jí)核殼結(jié)構(gòu)硅碳復(fù)合材料具有二級(jí)核殼結(jié)構(gòu):第一級(jí)核殼結(jié)構(gòu)是以粒徑為10-500nm的硅為核、碳為殼,構(gòu)成Si@C核殼結(jié)構(gòu);第二級(jí)核殼結(jié)構(gòu)是以第一級(jí)Si@C核殼結(jié)構(gòu)為核、碳為殼;第一級(jí)碳?xì)ず偷诙?jí)碳?xì)ぶg具有空隙但至少在某一處緊密相連成導(dǎo)電橋,兩級(jí)碳?xì)ぶg的空隙空間大小為第一級(jí)Si@C核殼結(jié)構(gòu)體積的5-400%。本發(fā)明能顯著改善傳統(tǒng)中空核殼結(jié)構(gòu)中硅核與碳?xì)らg的電接觸從而提高整體材料的導(dǎo)電性,可用于鋰離子電池
負(fù)極材料。
聲明:
“中空二級(jí)核殼結(jié)構(gòu)硅碳復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)