本發(fā)明涉及
儲(chǔ)能用多孔碳電極材料,具體涉及一種多孔中空碳納米片制備及應(yīng)用,該制備方法包括如下步驟:A、制備碳前體;B、制備多孔中空碳納米片。制備的碳納米片為多孔中空結(jié)構(gòu),孔隙率可調(diào)(2.0?6.0cm
3/g),厚度為20?300nm。所述中空碳納米片含有N元素,同時(shí)還含有異質(zhì)元素P、S、B中的一種或兩種以上。所述中空碳納米片中N元素的含量以及所述異質(zhì)元素P、S、B中的一種或兩種以上的總的質(zhì)量含量分別為2%?7%。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):制備方法簡(jiǎn)單,原料來源廣泛,價(jià)格低廉,工藝條件易控制,操作成本低,極具工業(yè)化前景。本發(fā)明的多孔中空碳納米片比表面積大,孔隙發(fā)達(dá)且可調(diào)節(jié),在
電化學(xué)電容器及鋰硫電池電極材料領(lǐng)域有著廣泛地應(yīng)用。
聲明:
“多孔中空碳納米片制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)