本發(fā)明公開一種高電導(dǎo)率銅基
復(fù)合材料的制備方法,以銅箔為基體,運(yùn)用電泳沉積的方法,將碳量子點(diǎn)沉積到銅箔基體上,并根據(jù)電泳沉積參數(shù)的不同選擇性地采用氣氛爐還原處理或真空退火處理,最終得到一種高電導(dǎo)率的碳量子點(diǎn)?銅基復(fù)合材料;本發(fā)明方法制備的復(fù)合銅基復(fù)合材料,碳量子點(diǎn)分布均勻,碳層致密,且與銅基復(fù)合材料基體結(jié)合牢固,相對(duì)于單一銅基體的電導(dǎo)率和耐氧化性得到了較大的提升,可廣泛應(yīng)用于集成電路、
鋰電池負(fù)極、電磁屏蔽和熱管理等領(lǐng)域。
聲明:
“高電導(dǎo)率銅基復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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