本申請涉及一種
負極材料、
電化學裝置和電子裝置。本申請的負極材料包括硅基復合物,其中,所述負極材料在X射線衍射圖譜中,2θ在22.0°至24.0°的峰值強度為I1,在44.0°至46.0°的峰值強度為I2,滿足I2/I1>1。本申請的負極材料使用摻雜元素進行SiOx的體相摻雜,摻雜元素與硅形成化學鍵,增加硅和氧之間的鍵長,降低硅氧材料在嵌鋰的能壘,從而提高硅氧材料的電子和離子傳導,顯著改善材料的倍率性能和循環(huán)過程中的膨脹。
聲明:
“負極材料、電化學裝置和電子裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)