本發(fā)明涉及真空處理裝置、真空處理方法以及微細(xì)加工裝置。在真空室(31)內(nèi)設(shè)置有噴嘴部(5),按照與噴嘴部(5)的噴出口對(duì)置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa~2.0MPa從噴嘴部(5)的基端側(cè)供給例如ClF3氣體以及Ar氣體,使該混合氣體從噴嘴部(5)的頂端側(cè)向1Pa~100Pa的真空氣氛噴出。由此混合氣體進(jìn)行絕熱膨脹,Ar原子、ClF3的分子結(jié)合在一起成為氣體團(tuán)簇(C)。在該氣體團(tuán)簇(C)未離子化的情況下,向硅基板(W)的表面部噴射,使該表面部多孔質(zhì)化。而且在不破壞真空的情況下,在其它的真空室(41)中對(duì)該硅基板(W)的表面進(jìn)行鋰的濺射成膜。
聲明:
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