本發(fā)明公開(kāi)一種V3S4@V2C
復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用,所述復(fù)合材料包括具有MXene結(jié)構(gòu)的V2C以及原位生成在該V2C表面的V3S4。所述V3S4具有三維NiAs晶體結(jié)構(gòu),所述V2C為二維材料,且V3S4原位生成在V2C上使兩者構(gòu)建成二維和三維異質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的V3S4@V2C復(fù)合材料中,V3S4具有三維NiAs晶體結(jié)構(gòu),而具有MXene結(jié)構(gòu)的V2C是一種結(jié)構(gòu)特殊的二維材料,并通過(guò)原位轉(zhuǎn)化將三維的V3S4和二維的V2C構(gòu)建異質(zhì)晶體,具有良好導(dǎo)電性的V2C與具有催化固硫效果的V3S4相互協(xié)同能夠有效地促進(jìn)多硫化物在電極表面的擴(kuò)散與轉(zhuǎn)化,顯著地提高鋰硫電池的
電化學(xué)性能。
聲明:
“V3S4@V2C復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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