本發(fā)明涉及納米熒光材料的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高熒光強(qiáng)度的上、下轉(zhuǎn)換
稀土摻雜
納米材料及其制備方法,該納米材料包含具有聲子能量低的NaYF4主體結(jié)構(gòu)、穩(wěn)定晶相的Gd3+、發(fā)射激子Tm3+、調(diào)節(jié)熒光強(qiáng)度的鋰離子Li+和惰性殼層NaGdF4。本發(fā)明的納米材料粒子通過在稀土摻雜的NaYF4納米材料中引入不同濃度的小尺寸Li+,誘導(dǎo)納米材料晶格皺縮或膨脹,直接影響稀土金屬的配位環(huán)境和晶體場(chǎng)裂分,從而提升納米材料的熒光強(qiáng)度,在波長(zhǎng)808nm激光激發(fā)下表現(xiàn)出1473nm下轉(zhuǎn)換熒光;同時(shí),在波長(zhǎng)1064nm激光激發(fā)下表現(xiàn)出800nm上轉(zhuǎn)換熒光。
聲明:
“高熒光強(qiáng)度的上、下轉(zhuǎn)換稀土摻雜納米材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)