一種不需要特定的復雜或昂貴裝置也能夠感測襯托器表面和晶片表面的溫度差異的方法。為了實現(xiàn)此目標,本發(fā)明提供一種化學氣相沉積設備,該設備包括:腔室;襯托器,可轉(zhuǎn)動地布置在所述腔室中并且在該襯托器上側(cè)上堆疊晶片;氣體供應器,設置在所述腔室中并且向所述晶片噴射氣體;加熱器,設置在所述襯托器中并且加熱所述晶片;溫度傳感器,設置在所述腔室中并且測量所述襯托器的溫度;轉(zhuǎn)動識別標志,裝配在與所述襯托器一起一體轉(zhuǎn)動的位置;轉(zhuǎn)動識別傳感器,設置在所述腔室中以便判斷所述襯托器的轉(zhuǎn)動狀態(tài),并且探測所述轉(zhuǎn)動識別標志;以及控制器,利用轉(zhuǎn)動識別傳感器和溫度傳感器計算所述襯托器的上側(cè)的溫度分布,并且基于所述溫度分布控制所述加熱器。
聲明:
“化學氣相沉積設備以及化學氣相沉積設備的溫度控制方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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