一種用于化學(xué)干蝕刻系統(tǒng)的系統(tǒng)和方法。本發(fā)明提供了一種執(zhí)行用于集成電路制造的蝕刻工藝的方法。該方法包括提供半導(dǎo)體晶片,所述半導(dǎo)體晶片包括待在等離子體室中進(jìn)行蝕刻的層。該方法還包括將半導(dǎo)體晶片保持在預(yù)定環(huán)境中的步驟。該方法包括使層的一部分經(jīng)受等離子體環(huán)境。等離子體環(huán)境包括一種或更多種等離子體物質(zhì)。例如,等離子體物質(zhì)用于執(zhí)行蝕刻。該方法還包括使用感測設(shè)備監(jiān)視第一傳輸裝置中的壓力條件。傳感設(shè)備在空間上配置在閥和抽運(yùn)設(shè)備之間。閥耦合到等離子體室所耦合的第二排氣裝置。該方法還包括確定在第一排氣裝置內(nèi)的壓力條件是否在預(yù)定條件內(nèi)。該方法包括,如果在第一排氣裝置內(nèi)的壓力條件在預(yù)定條件內(nèi),則通過第一排氣裝置、通過閥以及通過第二排氣裝置將一種或多種等離子體物質(zhì)去除。