本發(fā)明公開了一種單層二硫化鉬的化學氣相沉積制備方法及其在薄膜晶體管中的應用;本發(fā)明以三氧化鉬和硫單質作為反應物,在三氧化鉬中加入氫氧化鈉,生長得到了質量更好的單層MoS2,晶疇大于100μm,且不局限于一種或者幾種襯底材料,在多種單晶和多晶襯底材料上均可穩(wěn)定生長,本發(fā)明還將制備出的單層MoS2應用于薄膜場效應晶體管中,并對薄膜晶體管進行電學測試,獲得轉移特性曲線,計算出遷移率達121cm2V?1s?1,證明該方法制備出的單層MoS2符合半導體器件的應用需求。
聲明:
“單層二硫化鉬的化學氣相沉積制備方法及其在薄膜晶體管中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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