本發(fā)明提供了一種對半導(dǎo)體晶片上的氧化硅和氮化硅進行拋光的方法,包括以下步驟,用第一含水組合物對氧化硅平化,該含水組合物包含0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.02-6重量%的磨料,0.01-10重量%的聚乙烯基吡咯烷酮,0-5重量%的陽離子性化合物,0-1重量%的鄰苯二甲酸和鹽,0-5重量%的兩性離子化合物,余量為水,其中該聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為100-1000000克/摩爾。該方法進一步包括,檢測平化終點,并用第二含水組合物清除氧化硅,該含水組合物包含0.001-1重量%的季銨化合物,0.001-1重量%的鄰苯二甲酸及其鹽,0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.01-5重量%的磨料,余量為水。
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“化學(xué)機械拋光二氧化硅和氮化硅的多步方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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