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基于GaSb/InSb/InP異質PIN結構的光伏型紅外探測器

1095 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 07:28:48

一種基于GaSb/InSb/InP異質PIN結構的光伏型紅外探測器，屬于紅外探測技術領域。該探測器由下至上依次由背電極、重摻雜的N+型InP襯底、重摻雜的N+型InP電子傳輸層、未摻雜的窄禁帶InSb有源區(qū)、重摻雜的P+型GaSb空穴傳輸層以及柵條形上電極)組成。本發(fā)明采用低壓金屬有機物化學氣相外延技術，在重摻雜的N+型InP襯底制備相應結構，并利用磁控濺射技術制備上電極和背電極，得到的器件具有探測率高、響應速度快、工作溫度高、制備工藝簡單等特點，在室溫條件下，歸一化探測率D*為2.4×1010cm?Hz1/2W?1，可應用于航天、軍事、工業(yè)、民用等領域。

聲明：

“基于GaSb/InSb/InP異質PIN結構的光伏型紅外探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)