本發(fā)明涉及探測器級的超高純鍺單晶制備工藝以及該工藝的專用設備。該工藝包括多晶錠及拉晶設備的清洗以及單晶爐拉制單晶兩個部分;該工藝的專用設備單晶爐包括固定裝置、加熱裝置、冷卻裝置、通氣裝置以及拉晶裝置。本發(fā)明反應物及反應設備均經(jīng)過嚴格的物理及化學清洗,清洗液純度高,且反應過程始終在超凈工作臺內(nèi)進行,對反應物、反應環(huán)境純度要求高,為制出高純度的產(chǎn)品提供了先決條件;反應設備清潔度更高,爐體、坩堝及內(nèi)部零件都用高純石英件替代現(xiàn)用的石墨材料,且采用高頻感應加熱方式,避免用電阻石墨直接進行加熱產(chǎn)生的雜質(zhì)污染,降低了拉制產(chǎn)品過程中混雜雜質(zhì)的可能性,保障了產(chǎn)品的純度。
聲明:
“超高純鍺單晶制備工藝及專用設備” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)