本發(fā)明屬于可見(jiàn)光通信用光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種晶圓級(jí)III?VI族化合物薄膜材料、制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明的晶圓級(jí)III?VI族化合物薄膜材料包括包括絕緣襯底層,以及絕緣襯底層上依次疊層設(shè)置的III?VI族化合物薄膜層和電極層;III?VI族化合物薄膜層的化學(xué)式為In2X3,且其通過(guò)以下步驟設(shè)置于絕緣襯底層上:在絕緣襯底層上蒸鍍一層In金屬層;隨后,采用化學(xué)氣相沉積法,以X粉末為前驅(qū)體,將In金屬層反應(yīng)形成In2X3,即獲得III?VI族化合物薄膜層;其中,X為硫族元素。本發(fā)明結(jié)合了電子束蒸發(fā)鍍膜和化學(xué)氣相沉積技術(shù)、制備了晶圓級(jí)III?VI族化合物薄膜材料。本發(fā)明的方法簡(jiǎn)單,易于操作。
聲明:
“晶圓級(jí)III-VI族化合物薄膜材料、制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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