本發(fā)明公開了一種寬譜銦鎵砷焦平面的結(jié)構(gòu)及其制備方法,寬譜銦鎵砷焦平面的基底為InP,自基底起依次有InP腐蝕犧牲層,周期性薄層低維量子點(diǎn)層,腐蝕截止層,In0.83Ga0.17As吸收層和重?fù)诫s接觸層;還公開了一種制備所述探測(cè)器的方法,主要步驟為:1)產(chǎn)生混成結(jié)構(gòu)In0.83Ga0.17As焦平面探測(cè)器;2)機(jī)械研磨去除InP基底層;3)化學(xué)腐蝕去除犧牲層;4)干法等離子刻蝕去除部分截止層;本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)單片響應(yīng)范圍覆蓋400?2600nm的銦鎵砷焦平面探測(cè)器,可簡(jiǎn)化各類高光譜成像系統(tǒng)的光路,降低功耗、體積、重量,提升探測(cè)敏感度。
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“寬譜銦鎵砷焦平面的結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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